Якщо ти хочеш продовжити навчання після одержання диплому «бакалавра», то ти можеш вступити до Національного технічного університету України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» на 5 курс (1 курс магістратури). Ти будеш здобувати наступний рівень вищої освіти – рівень магістра. Тривалість навчання на цьому освітньому рівні залежить від обраної програми для навчання — освітньо-професійної або освітньо-наукової.
Освітньо-професійна програма (ОПП) підготовки — це підготовка магістрів певної галузі знань для подальшої професійної роботи. Тривалість 1 рік 4 місяці.
Освітньо-наукова програма (ОНП) підготовки розрахована на подальшу наукову роботу випускника магістратури. Тривалість 1 рік 9 місяців.
- Положення про вступ до магістратури
- Каталог вступника до магістратури 2021
- Графік консультацій з підготовки до ЄВІ (англійська мова)
- Процедура реєстрації на ЄВІ/ЄФВВ
- Розклад роботи відбіркової комісії ФЕЛ
- Обсяги державного замовлення за освітнім ступенем магістра
- Вартість навчання у 2021/2022 навчальному році
- Програми фахових випробовувань
- Освітньо-професійна програма "Електронні компоненти і системи"
- Освітньо-професійна програма "Електронні прилади та пристрої
- Освітньо-наукова програма "Електронні компоненти і системи"
- Освітньо-наукова програма "Електронні прилади та пристрої"
Увага!
При вступі до магістратури зараховуються результати ЄВІ - 2020 та 2021 років.
Шановні вступники до магістратури, реєстрація для проходження єдиного вступного іспиту (ЄВІ) з іноземної мови та єдиного фахового вступного випробування (ЄФВВ, для вступників на спеціальність 081 Право) буде здійснюватись з 11 травня до 03 червня включно!
Приймальна комісія КПІ ім. Ігоря Сікорського робить все можливе, щоб зробити вашу реєстрацію максимально комфортною та безпечною у зв’язку з епідеміологічною ситуацією в країні. Реєстрація відбуватиметься виключно дистанційно з використанням системи «Електронний кампус» для випускників КПІ ім. Ігоря Сікорського цього року та з використанням електронної пошти для випускників попередніх років. Рекомендуємо всім вступникам, які завершують навчання у інших закладах освіти зареєструватись для складання ЄВІ та ЄФВВ за місцем вашого навчання – це спростить процедуру вам та нам. Подробиці тут.
Для реєстрації необхідно підготувати скан-копії таких документів (розмір кожного файлу – до 1 мегабайта, формати .jpg, .pdf):
— паспорт (1, 2 сторінки) або ID (з двох боків);
— облікова картка платника податків;
— особисте фото на білому фоні (не менше 300 dpi).
ВСТУПНИК ВВАЖАЄТЬСЯ ЗАРЕЄСТРОВАНИМ ПІСЛЯ ОТРИМАННЯ ЕКЗАМЕНАЦІЙНОГО ЛИСТКА
Для кожного вступника, який отримав екзаменаційний листок, на веб-сайті Українського центру створюється інформаційна сторінка «Кабінет вступника», доступ до якої здійснюється за номером екзаменаційного листка та РIN-кодом, зазначеним у ньому
УЧАСНИКУ ВСТУПНИХ ВИПРОБУВАНЬ
Цього року документи для вступу до магістратури подаються виключно електронно
Реєстрація для складання ЄВІ/ЄФВВ | 11 травня – 03 червня 18:00 | |
Початок реєстрації електронних кабінетів | 01 липня | |
Терміни прийому заяв та документів | 15 липня – 23 липня 18:00 | |
Вступні випробування | Єдиний вступний іспит з іноземної мови | (додаткова сесія проводиться в строки, встановлені Українським центром оцінювання якості освіти) |
Фахові | 24-30 липня (згідно з розкладом, затвердженим головою відповідної атестаційної комісії) | |
Термін оприлюднення рейтингового списку вступників із зазначенням рекомендованих до зарахування на місця державного замовлення | не пізніше 02 серпня | |
Закінчення строку виконання вступниками вимог до зарахування на місця державного замовлення | не пізніше 18 години 07 серпня | |
Закінчення строку виконання вимог до зарахування вступниками, які беруть участь у конкурсному відборі, на місця, що фінансуються за кошти фізичних та юридичних осіб | не пізніше 13 години 14 серпня | |
Терміни зарахування вступників: | ||
за державним замовленням | 12 серпня; | |
за кошти фізичних та юридичних осіб | не пізніше 19 серпня. |
РОЗРАХУНОК КОНКУРСНОГО БАЛУ
При вступі для здобуття ступеня магістра конкурсний бал розраховується за формулою:
КБ = 0,25·П1 + 0,75·П2 +RA
де
П1 – оцінка єдиного вступного іспиту з іноземної мови,
П2 – оцінка фахового вступного випробування (за шкалою від 100 до 200 балів),
RA – чисельний еквівалент оцінки академічного рейтингу вступника.
Академічний рейтинг RA вступника розраховується атестаційною комісією на підставі додатка відповідного диплома та поданих документів щодо творчих досягнень вступника за формулою:
RA = 2RA + 2RT ,
де:
RA – академічний складник,
RT – складник творчих досягнень.
Академічний складник (RA) академічного рейтингу вступника визначається як середнє арифметичне результатів за всі показники наведені в додатка до диплома (результати вивчення предметів, захисту курсових/дипломних робіт, складання екзаменів тощо) виражених у чисельному або літерному еквіваленті. За наявності і літерного, і чисельного показника, пріоритет надається чисельному показнику. При цьому не враховуються тільки ті показники для яких відсутній і чисельний і літерний еквівалент (результати яких зазначені у додатка до диплома як атестовано, зараховано, вивчав тощо).
У разі відсутності з об’єктивних причин додатка до документа про здобутий освітній (освітньо-кваліфікаційний рівень) його середній бал вважається таким, що відповідає мінімальному можливому значенню.
Складник творчих досягнень (RT) академічного рейтингу вступника визначається з урахуванням рівня результативності відповідного досягнення та кількості цих досягнень.
RT= ∑rjnj,
де:
rj – ранг творчого досягнення (згідно з таблицею);
nj – кількість творчих досягнень j-го рівня.
Максимальна кількість балів творчих досягнень, що враховується під час визначення академічного рейтингу вступника, дорівнює 5.
Результати творчої роботи студента* | Рівень результативності та вагові коефіцієнти |
Стаття в університетській збірці наукових праць, публікація доповіді у збірці праць конференції, призове місце на конкурсі наукових робіт студентів університету (факультету), розроблення інноваційного проекту («Інкубатор інноваційних ідей»), прийняття до розгляду заявки на охоронний документ України на об’єкт інтелектуальної власності. | Університетський r1 = 0,5 |
Стаття у всеукраїнському науковому журналі, публікація доповіді у збірці праць всеукраїнської конференції, участь у всеукраїнській виставці з експонатом, призове місце у всеукраїнській олімпіаді з фаху, отримання охоронного документа України на об’єкт інтелектуальної власності або заявка на закордонне патентування, диплом призеру другого туру Фестивалю «Future of Ukraine 2021». | Всеукраїнський r2 = 1 |
Стаття (доповідь) у міжнародних журналах і збірках наукових праць, участь у міжнародних виставках, конкурсах і олімпіадах з фаху або призове місце на всеукраїнському рівні цих заходів, отримання закордонного патенту, диплом переможця Фестивалю «Future of Ukraine 2021». | Міжнародний |
* 1. Якщо є співавтори певної роботи, ваговий коефіцієнт rj поділяється на їх кількість.
2. Творчі досягнення враховуються тільки у випадку, якщо їх тематика відповідає спеціальності (освітній програмі), на яку проводиться набір (відповідність визначається атестаційними комісіями факультетів/інститутів та/або підкомісіями за відповідними спеціальностями(освітніми програмами)).
СПЕЦІАЛЬНІСТЬ | ОСВІТНІ ПРОГРАМИ (СПЕЦІАЛІЗАЦІЇ) |
171 Електроніка | 1. Електронні прилади та пристрої |
2. Електронні компоненти і системи |